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电子元器件详细资料 » IC[18399] » FQB9N25CTM
型号:FQB9N25CTM类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)250V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C430 毫欧 @ 4.4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs35nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds710pF @ 25V
功率_最大3.13W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D²PAK
包装带卷 (TR)

供应商

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